SK Hynix spinge sull'acceleratore, 1Z nm e 4D NAND nel 2020

2020-02-05 19:02:31 - www.tomshw.it
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Sk Hynix

Sempre lo scorso anno SK Hynix ha completato lo sviluppo del suo processo produttivo di terza generazione a 10 nm per le memorie DRAM (1Z nm) e iniziato le spedizioni di sample delle sue memorie NAND ‘4D’ realizzate a 128 layer (chiamate anche ufficialmente “3D NAND”), realizzate con il design Charge trap flash (CTF), insieme all’architettura Periphery Under Cell (PUC).
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