Lo sviluppo di CasFET rappresenta un possibile passo successivo nella produzione di transistor, offrendo strutture superlattice che sono perpendicolari alla direzione di trasporto del transistor, consentendo stati a cascata commutabili.
I ricercatori della Purdue University hanno raggiunto un importante risultato per ciò che riguarda la progettazione dei transistor di prossima generazione, che potrebbe consentire un’estensione della vita dei semiconduttori a base di silicio.