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21/04/2025 03:15 - Un team di ricercatori dell'Università Fudan di Shanghai ha sviluppato PoX (Phase-change Oxide), un dispositivo di memoria flash non volatile capace di scrivere dati in soli 400 picosecondi, equivalenti a circa 25 miliardi di operazioni al secondo.
21/04/2025 03:15 - Un team di ricercatori dell'Università Fudan di Shanghai ha sviluppato PoX (Phase-change Oxide), un dispositivo di memoria flash non volatile capace di scrivere dati in soli 400 picosecondi, equivalenti a circa 25 miliardi di operazioni al secondo.