VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistor) é la nuova architettura messa a punto da IBM e Samsung per la realizzazione di nuovi transistor verticali che consentiranno di scalare oltre i nanofogli (nanosheet, anche detti transistor GAAFET).
Per farlo servono transistor sempre più piccoli da stipare in una determinata area e il nuovo VTFET fa sì che i transistor siano costruiti perpendicolarmente alla superfice del chip con un flusso di corrente verticale, dall'alto verso il basso e viceversa.