Samsung: 3 nanometri e transistor GAAFET ormai ai nastri di partenza

2022-04-30 01:34:13 - www.hwupgrade.it

Samsung: 3 nanometri e transistor GAAFET ormai ai nastri di partenza

Si parla di:

Il processo a 3 nanometri di Samsung é importante perchÃ© sarÃ il primo a impiegare transistor di tipo GAAFET, basati su una nuova struttura rispetto a quella degli attuali FinFET.
In passato, parlando di una SRAM da 256Mb basata su transistor GAAFET, Samsung sostenne di poter ridurre fino al 50% il consumo energetico aumentando le prestazioni fino al 30% incrementando contestualmente la densitÃ di transistor potenziale di addirittura l'80%.

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26/04/2024 08:18 - La prima grande novitÃÂ riguarda l'annuncio del processo produttivo A16, un processo che definiremmo volgarmente a 1,6 nanometri.

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Il video del Galaxy S21 FE ci dice tutto sul nuovo telefono di Samsung

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