Samsung abbandonerà  la tecnologia FinFET per realizzare i primi transistor a 3 nm

2019-05-15 17:02:07 - www.ilsoftware.it
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La modifica più importante che segnerà il passaggio ai 3 nm è senza dubbio l'abbandono della tecnologia FinFET, transistor a doppia porta non planare su un substrato SOI (Silicon On Insulator ovvero "silicio su isolante"), per abbracciare i transistor di tipo GAAFET (Gate-all-around FET).
Rispetto a un GAAFET "tradizionale", Samsung ritiene di poter realizzare transistor iper-miniaturizzati con un approccio meno costoso pur conservando benefici in termini di performance e scaling.
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