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75 Risultati Relativi a
Gate All Around [ pagina 2 ] |
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www.pianetacellulare.it
30/06/2022 08:15 - · nanometri (nm) applicando l'architettura a transistor Gate- All - Around (GAA).… L'azienda ha iniziato con la · alla produzione, come il primo High-K Metal Gate del settore della fonderia, FinFET e EUV.
www.hwupgrade.it
25/11/2022 08:15 - · basato su una nuova architettura di transistor Gate- All - Around (GAA).… Un passo avanti rispetto al progetto · Tri -Gate / FinFET, introdotto per prima da ·
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18/02/2022 11:21 - · lavorando su RibbonFET, l'implementazione di Intel di un transistor Gate- All - Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda ·
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18/02/2022 13:22 - · lavorando su RibbonFET, l'implementazione di Intel di un transistor Gate- All - Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda ·
www.hdblog.it
27/05/2022 12:16 - · à il processo di nuova generazione a 3 nm GAA (Gate All- Around) , che dovrebbe diventare operativo verso la fine del 2022, e ·
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19/05/2022 14:17 - · isotopicamente possono essere impiegati per migliorare tecnologie esistenti, come i Gate- All - Around Effect Transistor (GAA-FET), che già utilizzano nanofili di ·
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29/06/2022 16:16 - Il processo implementerà la tecnologia GAA (Gate- All - Around) FET (Field Effect Transistor): sostanzialmente, il materiale isolante per ·
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30/06/2022 09:15 - · cioਠche il nodo implementa la nuova tecnologia GAA (Gate- All - Around) , in cui sostanzialmente il materiale isolante viene applicato tutto intorno ·
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25/07/2022 11:15 - · altro record: introduce per la prima volta la tecnologia GAA (Gate All Around) nel mondo della fabbricazione di semiconduttori.
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10/10/2022 09:13 - · chip 3 nm (SF3E) al mondo con tecnologia GAA (Gate All Around) negli scorsi mesi, promettendo enormi miglioramenti nell'efficienza energetica delle ·
www.ilsoftware.it
05/12/2022 19:15 - · ha dato dimostrazione della realizzazione di nanosheet impilati di tipo Gate- All - Around utilizzando materiale 2D di soli 3 atomi di spessore ·
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23/11/2022 08:18 - · 'ultravioletto estremo (EUV), i nuovi transistor con struttura GAA (Gate All- Around) e in un momento successivo non meglio precisato l'implementazione ·
www.windowsblogitalia.com
07/01/2025 20:16 - · far girare giochi tripla A come Baldur's Gate 3 in emulazione senza troppi problemi come annunciato · Here's a demo of Baulders Gate 3 running at 1080p hovering Around 30FPS, which is perfectly playable!
www.fastweb.it
21/05/2021 16:17 - · miniaturizzazione dei chip e alla tecnologia Gate- All - Around.… Ad esempio, Samsung ha presentato lo · febbraio la sua versione della tecnologia Gate- All - Around, mentre Intel sta disegnando transistor con ·
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12/07/2021 08:18 - · il passaggio dai transistor FinFET ai GAAFET (Gate All Around FET), o nella sua accezione MBCFET (Multi · a 3 nanometri, nota come 3GAE (3nm Gate- All - Around early), raggiungerà lo stadio di produzione ·
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12/07/2021 14:20 - · 2023 arriveranno i chip a 3nm GAP (Gate All- Around Plus) che saranno disponibili per tutti i · 2022 comincerà lo sviluppo dei 3nm GAA (Gate All- Around) , senza perಠspecificare una tempistica precisa.
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30/07/2021 00:18 - · 20A si passa dai transistor FinFET ai transistor Gate- All - Around (GAA) FET che Intel chiama RibbonFET.… In un transistor GAAFET (Gate- All - Around FET) il Gate circonda il canale su tutti i lati ·
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12/03/2021 18:15 - · a iniziare a utilizzare strutture GAAFET (Gate- All - Around field-effect transistor) con il suo ·, Â ma in precedenza erano conosciuti come surrounding -Gate transistor (SGT).
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07/10/2021 07:20 - · ๠del futuro passaggio dai transistor FinFET a quelli Gate- All - Around (GAA) con i processi a 3 e 2 · l'area di contatto tra canale e Gate, assicurando che il Gate "prosegua" anche sotto il canale, non ·
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12/12/2021 11:17 - · si cela la sua implementazione dei transistor Gate- All - Around (GAA) che anche altre realtà stanno · da semiconduttori NMOS e PMOS affiancati, prevede Gate su tutti i lati.
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22/09/2021 07:21 - · dopo FinFET: si parla ad esempio di Gate All Around FET (GAAFET), con Samsung in prima fila · il processo Intel 20A dei RibbonFET, transistor con Gate su tutti i lati.
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12/02/2021 04:18 - · passaggio dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET) - MBCFET, Multi Bridge Channel FET, nell'implementazione ·
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05/06/2021 08:15 - · a 2 nanometri (N2) e probabilmente al passaggio ai transistor Gate- All - Around (GAAFET): siamo ancora alla fase di ricerca in questo ·
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28/07/2021 14:16 - · primo processo di produzione della fonderia a utilizzare transistor GAA (Gate- All - Around) (nella loro implementazione di nanosheet o nanowire) insieme ad · |
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