TSMC: chip a 3 nanometri consegnati ai clienti nel 2023, 2 nanometri nel 2025
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19/10/2021 09:18 - · escluso o confermato l'adozione di transistor con design GAAFET (Gate- All - Around field-effect transistor).
 I futuri transistor sfrutteranno tecniche apprese dalla fisica quantistica
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23/09/2021 12:17 - Samsung sta impiegando la tecnologia GAAFET (Gate All Around Field Effect Transistor) per il processo a 3nm, con ·
 I transistor FinFET sono il passato secondo IBM e Samsung che presentano la nuova soluzione VTFET
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16/12/2021 10:35 - · in anteprima il suo progetto RibbonFet ovvero il primo transistor Gate- All - Around dell'azienda di Santa Clara: la società  di Gelsinger ·
 Intel e la legge di Moore, un binomio che guarda oltre il 2025: ecco come
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14/12/2021 14:30 - · nuova architettura transistor RibbonFET, tramite cui debutteranno i primi GAA (Gate- All - Around) e che permetteràƒÂ  di avere un numero maggiore di ·
 TSMC, avanzano i preparativi per il processo produttivo a 2 nm
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29/12/2021 11:15 - tra finfet, Gate- All - Around- fet, e altre sfumature simili.
 Orson Welles, l'uomo che portò i marziani in America
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06/05/2021 07:17 - · piccoli ruoli di supporto nelle successive produzioni del Gate, e produsse e disegnಠproduzioni proprie a · Nel 1946 Welles ritornಠal teatro con Around the World, un adattamento musicale de Il giro ·
 Esperti professori di virologia dalla Svezia | Butac
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15/01/2021 14:00 - · don’t know if he has any competence Around virology, but if so probably not from Karolinska · virologia.…
Ha pubblicato anche studi consultabili su Research Gate, ma anche qui sempre in relazione con le ·
 Samsung abbandonerà  la tecnologia FinFET per realizzare i primi transistor a 3 nm
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15/05/2019 17:02 - · transistor di tipo GAAFET (Gate- All - Around FET).…
I FinFET sono transistor tri -Gate: il canale che mette · fondamentali di un transistore MOSFET insieme con il Gate) viene portato al di sopra del piano ·
 Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta
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19/03/2020 13:09 - Mantenere "corto" il Gate permette una maggiore precisione nel controllo della · spinta.…
L'evoluzione: i nuovi transistor Gate- All - Around ovvero GAA (Nanosheet) Nei GAAFET vengono ·
 I 3nm GAAFET di Samsung: la soluzione per i transistor del futuro è MBCFET
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15/04/2020 13:01 - · affrontare questa nuova corsa alla miniaturizzazione, parlandovi della tecnologia GAAFET, Gate- All - Around Field-Effect Transistor, una tecnica MIGFET (Multiple Independent ·
 Intel, entro cinque anni processori con nuovi tipi di transistor?
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23/06/2020 10:01 - Si parla ad esempio di Gate All Around FET (GAAFET), con Samsung in prima fila con · à  l'area di contatto tra canale e Gate, assicurando che il Gate "prosegua" anche sotto il canale, non ·
 Samsung, la nuova linea V1 triplicherà la produzione di chip EUV a 7 nanometri quest'anno
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24/02/2020 14:03 - · progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET), che nell'implementazione dell'azienda · di di contatto tra canale e Gate, assicurando che il Gate "prosegua" anche sotto il canale, ·
 Intel ha prodotto ben 10 milioni di SSD 3D NAND QLC
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13/02/2020 14:04 - · in verticale l’orientamento del floating Gate (FG) che hanno impacchettato in una struttura Gate- All - Around; il risultato dell’operazione é la tecnologia ·
 TSMC, processo litografico ridotto a 2 nm con la tecnologia GAAFET
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23/09/2020 10:01 - · procedendo spedita per l'adozione della tecnologia GAAFET (Gate- All - Around FET) che abbiamo già  descritto in passato · che viene strutturato così da aver il Gate posizionato al di sotto del canale (non ·
 TSMC: buoni progressi sul processo produttivo a 3 nanometri
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24/07/2019 18:04 - · (3GAAE) é in fase avanzata e saranno usati transistor MBCFET Gate- All - Around basati su nanofogli.
 Samsung si sposta sui 5nm: parte la produzione in massa dei chip
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29/04/2020 12:01 - · di Seoul spostarsi sul nodo a 3nm tramite processo GAAFET (Gate All Around FET), come giàƒÂ  confermato in precedenza.
 TSMC rigetta le indiscrezioni: i 3 nanometri arriveranno nei tempi previsti
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18/04/2020 10:02 - · che con i 3 nanometri passeràƒÂ  ai transistor con progetto Gate All Around FET (GAAFET), o meglio All ' implementazione proprietaria MBCFET (Multi ·
 Samsung pronta con i 5nm per Nvidia, prosegue lo sviluppo del nodo a 3nm GAAFET
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30/04/2020 11:06 - · fase di sviluppo del nodo a 3nm con sistema GAAFET (Gate All- Around Field Effect Transistor) progettato internamente, il Multi Bridge Channel ·
 TSMC illustra le tappe intermedi della strada verso i 3 nm
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25/08/2020 18:02 - · scelta radicalmente diversa da Samsung che useràƒÂ  i GAA (Gate- All - Around) .
 TSMC punta decisa ai 2 nanometri: nuovi impianti produttivi per far fronte alla domanda
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28/09/2020 10:01 - ·, si vocifera che TSMC adotteràƒÂ  una struttura dei transistor chiamata Gate- All - Around (GAAFET), seguendo la stessa strada a cui faràƒÂ  da ·
 Samsung, budget da capogiro per combattere TSMC: 116 mld di dollari
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17/11/2020 15:00 - · usando una tecnologia piàƒÂ¹ sofisticata ed evoluta, la GAA o Gate All- Around, che secondo molti esperti àƒÂ¨ la next big thing del ·
 TSMC ha una Fab per i 3 nanometri. Operativa dalla seconda metà del 2022
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27/11/2020 10:00 - · i 2 nanometri TSMC adotteràƒÂ  una struttura dei transistor chiamata Gate- All - Around (GAAFET), migliore sotto tutti gli aspetti rispetto a quella ·
 TSMC pronta a produrre CPU a 3 nanometri
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27/11/2020 08:02 - · 3 nm, passeràƒÂ  invece dalla tecnologia FinFET a quella GAA (Gate- All - Around) .
 La nuova moda è prendere il sole nel c**o
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28/11/2019 18:03 - · the perenium or Hui Yin is called the †œGate of Life and Death.” This is a gateway · frequency of understanding our life force energy, we walk Around creating our dream realities as the gods & goddesses ·
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