I FinFET funzionano aumentando l’area di contatto tra il canale del transistor e il gate attraverso lo scaling in una direzione verticale, favorendo tempi di commutazione più rapidi e una densità di corrente maggiore rispetto a un progetto planare.
Come tutte le tecnologie però, anche i transistor FinFET raggiungeranno il punto in cui non potranno più scalare.
www.hdblog.it 30/06/2022 09:15 - Gate-All-Around), in cui sostanzialmente il materiale isolante viene applicato tutto intorno ai quattro lati del transistor ·
www.ilsoftware.it 05/12/2022 19:15 - gate-all-around utilizzando materiale 2D di soli 3 atomi di spessore al posto del silicio ottenendo uno switching quasi ideale dei transistor ·
www.tomshw.it 12/05/2025 09:15 -
cuore dell'innovazione risiede nell'architettura GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor), dove il gate del transistor avvolge completamente la sorgente.
www.tomshw.it 12/03/2021 18:15 - Samsung Foundry sarà il primo produttore di semiconduttori a iniziare a utilizzare strutture GAAFET (gate-all-around field-effect transistor) con il suo processo di ·
www.hwupgrade.it 28/03/2025 09:16 -
NVIDIA, ha recentemente espresso la sua opinione sulla tecnologia dei transistor Gate-All-Around (GAA), che rappresenta il prossimo passo evolutivo dopo i ·
www.hdblog.it 10/10/2022 09:13 - Samsung Foundry ha infatti avviato la produzione di massa dei primi chip 3 nm (SF3E) al mondo con tecnologia GAA (Gate All Around ·
notebookitalia.it 08/12/2022 11:18 -
Ulteriori ricerche, tra cui i transistor RibbonFET gate-all-around (GAA), la tecnologia di erogazione di potenza dal lato ·
www.hwupgrade.it 12/02/2021 04:18 -
dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET) - MBCFET, Multi Bridge Channel FET, nell'implementazione di Samsung.