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Gate All Around

I FinFET funzionano aumentando l’area di contatto tra il canale del transistor e il gate attraverso lo scaling in una direzione verticale, favorendo tempi di commutazione più rapidi e una densità di corrente maggiore rispetto a un progetto planare.
Come tutte le tecnologie però, anche i transistor FinFET raggiungeranno il punto in cui non potranno più scalare.
 
www.hwupgrade.it
30/04/2022 01:34 - produttivo 3GAE (3nm Gate All Around Early).
 
www.hwupgrade.it
30/06/2022 09:16 - dall'introduzione della nuova architettura di transistor Gate-All-Around (GAA).
 
www.hwupgrade.it
25/11/2022 08:15 - à avrebbero siglato un accordo produttivo con Samsung Foundry.
 
www.ilsoftware.it
30/06/2022 14:20 - arrivo dei primi chip GAAFET (Gate-All-Around FET) a marchio Samsung, la società sudcoreano starebbe ·
 
www.hdblog.it
30/06/2022 09:15 - Gate-All-Around), in cui sostanzialmente il materiale isolante viene applicato tutto intorno ai quattro lati del transistor ·
 
www.ilsoftware.it
05/12/2022 19:15 - gate-all-around utilizzando materiale 2D di soli 3 atomi di spessore al posto del silicio ottenendo uno switching quasi ideale dei transistor ·
 
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12/07/2021 08:18 - piani segneranno il passaggio dai transistor FinFET ai GAAFET (Gate All Around FET), o nella sua ·
 
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22/09/2021 07:21 - approccio più generale rispetto alla tecnologia dei transistor che abbiamo sviluppato diversi anni fa.
 
www.tomshw.it
12/05/2025 09:15 - cuore dell'innovazione risiede nell'architettura GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor), dove il gate del transistor avvolge completamente la sorgente.
 
www.ictbusiness.it
30/06/2022 09:15 - elevano del 23% le performance .
 
www.tomshw.it
05/12/2022 16:15 - Processi produttivi quantum computing Transitor Gate All Around Wafer GaN CPU Intel Si ·
 
www.hdblog.it
29/06/2022 16:16 - implementerà la tecnologia GAA (Gate-All-Around) FET (Field Effect Transistor):
 
www.hdblog.it
25/07/2022 11:15 - Gate All Around) nel mondo della fabbricazione di semiconduttori.
 
notebookitalia.it
30/07/2021 00:18 - Con Intel 20A si passa dai transistor FinFET ai transistor Gate-all-around (GAA) FET che Intel chiama RibbonFET.
 
www.tomshw.it
12/03/2021 18:15 - Samsung Foundry sarà il primo produttore di semiconduttori a iniziare a utilizzare strutture GAAFET (gate-all-around field-effect transistor) con il suo processo di ·
 
www.tomshw.it
23/09/2021 12:17 - concorrente AMD nel mercato delle CPU.
 
www.hwupgrade.it
28/03/2025 09:16 - NVIDIA, ha recentemente espresso la sua opinione sulla tecnologia dei transistor Gate-All-Around (GAA), che rappresenta il prossimo passo evolutivo dopo i ·
 
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30/06/2022 08:15 - (nm) applicando l'architettura a transistor Gate-All-Around (GAA).
 
www.hwupgrade.it
19/04/2022 10:19 - processo produttivo sfrutterà transistor basati sulla nuova struttura GAA (Gate All-Around) e continuerà ad ·
 
www.hdblog.it
10/10/2022 09:13 - Samsung Foundry ha infatti avviato la produzione di massa dei primi chip 3 nm (SF3E) al mondo con tecnologia GAA (Gate All Around ·
 
notebookitalia.it
08/12/2022 11:18 - Ulteriori ricerche, tra cui i transistor RibbonFET gate-all-around (GAA), la tecnologia di erogazione di potenza dal lato ·
 
www.ilsoftware.it
16/12/2021 10:35 - E impacchettando più transistor nei chip, IBM e Samsung sostengono che la tecnologia VTFET ·
 
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07/10/2021 07:20 - in virtù del futuro passaggio dai transistor FinFET a quelli Gate-All-Around (GAA) con i processi a ·
 
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12/02/2021 04:18 - dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET) - MBCFET, Multi Bridge Channel FET, nell'implementazione di Samsung.

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