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Gate All Around

I FinFET funzionano aumentando l’area di contatto tra il canale del transistor e il gate attraverso lo scaling in una direzione verticale, favorendo tempi di commutazione più rapidi e una densità di corrente maggiore rispetto a un progetto planare.
Come tutte le tecnologie però, anche i transistor FinFET raggiungeranno il punto in cui non potranno più scalare.
 
www.hwupgrade.it
30/04/2022 01:34 - produttivo 3GAE (3nm Gate All Around Early).
 
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19/04/2022 10:19 - processo produttivo sfrutterà transistor basati sulla nuova struttura GAA (Gate All-Around) e continuerà ad ·
 
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12/07/2021 08:18 - piani segneranno il passaggio dai transistor FinFET ai GAAFET (Gate All Around FET), o nella sua ·
 
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22/09/2021 07:21 - approccio più generale rispetto alla tecnologia dei transistor che abbiamo sviluppato diversi anni fa.
 
www.ilsoftware.it
19/03/2020 13:09 - I FinFET sono transistor tri-gate:
 
www.ictbusiness.it
15/05/2019 15:05 - prodotti di Samsung si basano invece sulla struttura Gate-all-around Fet (GAA), nella quale il gate avvolge l' ·
 
www.tomshw.it
30/04/2020 11:06 - trimestre 2020 la divisione fonderia di Samsung é intenzionata a espandere la sua leadership ·
 
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25/01/2024 13:18 - La nuova tecnologia presenterà per la prima volta i transistor gate-all-around (GAA) di TSMC che utilizzano nanosheet impilati verticalmente per ·
 
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21/02/2024 06:16 - ai processi di Samsung Foundry che prevedono l'impiego di transistor Gate-All-Around (GAA), i ·
 
notebookitalia.it
30/07/2021 00:18 - Con Intel 20A si passa dai transistor FinFET ai transistor Gate-all-around (GAA) FET che Intel chiama RibbonFET.
 
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12/03/2021 18:15 - Samsung Foundry sarà il primo produttore di semiconduttori a iniziare a utilizzare strutture GAAFET (gate-all-around field-effect transistor) con il suo processo di ·
 
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23/09/2021 12:17 - concorrente AMD nel mercato delle CPU.
 
www.ilsoftware.it
15/05/2019 17:02 - Alcuni partner di Samsung avrebbero già ottenuto i primi prototipi di ·
 
www.tomshw.it
15/04/2020 13:01 - Abbiamo già riportato come Samsung intenda affrontare questa nuova corsa alla miniaturizzazione, parlandovi della tecnologia GAAFET, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, una tecnica MIGFET ·
 
www.windowsblogitalia.com
10/04/2024 18:16 - , Lenovo, LG, Microsoft Superficie, MSI e Samsung.
 
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18/02/2022 11:21 - , l'implementazione di Intel di un transistor Gate-All-Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda dall'introduzione dei FinFET nel ·
 
www.tomshw.it
06/03/2024 11:16 - Samsung Foundry avrebbe già comunicato ai suoi ·
 
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16/12/2021 10:35 - E impacchettando più transistor nei chip, IBM e Samsung sostengono che la tecnologia VTFET ·
 
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07/10/2021 07:20 - in virtù del futuro passaggio dai transistor FinFET a quelli Gate-All-Around (GAA) con i processi a ·
 
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12/02/2021 04:18 - dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET) - MBCFET, Multi Bridge Channel FET, nell'implementazione di Samsung.
 
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24/02/2020 14:03 - Gate All Around FET (GAAFET), che nell'implementazione dell'azienda prenderà il nome di MBCFET, Multi Bridge Channel FET.
 
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23/06/2020 10:01 - microchip rispetto alle precedenti soluzioni basate su transistor planari (2D), consentendo un aumento della ·
 
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25/01/2024 12:16 - La nuova tecnologia presenterà per la prima volta i transistor gate-all-around (GAA) di TSMC che utilizzano nanosheet impilati verticalmente per ·
 
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18/02/2022 13:22 - , l'implementazione di Intel di un transistor Gate-All-Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda dall'introduzione dei FinFET nel ·

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