Samsung con Netflix per il lancio di Emily in Paris S2, e con IBM per batterie per smartphone capaci di durare una settimana senza ricarica
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22/12/2021 16:20 - · insieme per i pagamenti tramite dispositivi mobile VTFET (Vertical Transport Nanosheet Field Effect Transistor) A researcher at a Thermal Compression Bonding ·
 I transistor FinFET sono il passato secondo IBM e Samsung che presentano la nuova soluzione VTFET
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16/12/2021 10:35 - · semiconduttori sono utilizzati già  da tempo (si parlava spesso di Nanosheet) e anche Intel sembra voler continuare a muoversi in questo ·
 VTFET, il transistor di IBM e Samsung che si sviluppa in verticale
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14/12/2021 16:15 - · nuovi transistor verticali che consentiranno di scalare oltre i nanofogli (Nanosheet, anche detti transistor GAAFET).
 Samsung, Gate All Around per sostituire i transistor FinFET
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15/05/2019 11:02 - Il progetto é estremamente personalizzabile, ossia l’ampiezza del nanofoglio (Nanosheet) va a influire direttamente su consumi e prestazioni: maggiore é l ·
 Tecnologia FinFET: cos'é e come funziona
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17/08/2020 18:00 - · della tecnologia FinFET ovvero Nanosheet.…
Fonte dell'immagine: IMEC Nanosheet si basa sull'utilizzo · Inutile dire, quindi, che la tecnologia Nanosheet fungerà  da volano per la standardizzazione del ·
 TSMC, processo litografico ridotto a 2 nm con la tecnologia GAAFET
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23/09/2020 10:01 - · passato: Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta.…
· un libro (vengono infatti chiamati transistor Nanosheet) .
 Samsung, la nuova linea V1 triplicherà la produzione di chip EUV a 7 nanometri quest'anno
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24/02/2020 14:03 - ·, un progetto estremamente personalizzabile, che agendo sull'ampiezza del nanofoglio (Nanosheet) permette di intervenire su consumi e prestazioni, adattando quindi il ·
 Intel mostra come realizza i suoi nuovi processori a 10 nm
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20/03/2020 19:06 - · singolo transistor FinFET (vedere anche Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta).Intel dettaglia la tecnologia ·
 TSMC offre maggiori dettagli sul processo costruttivo dei suoi SoC a 5 nm
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30/03/2020 15:03 - · " del FinFET più basse (vedere Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta).
 Intel, entro cinque anni processori con nuovi tipi di transistor?
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23/06/2020 10:01 - ·, un progetto estremamente personalizzabile, che agendo sull'ampiezza del nanofoglio (Nanosheet) permette di intervenire su consumi e prestazioni, adattando quindi il ·
 TSMC realizzerà  chip 3 nm+ nel 2023. Interesse di Google e AMD per SoIC
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17/12/2020 17:00 - · principali differenze nel nostro articolo Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta.
 Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta
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19/03/2020 13:09 - · lasciare spazio a un nuovo e più evoluto concetto di transistor: Nanosheet.…
L'evoluzione: i nuovi transistor gate-all-around ovvero GAA (Nanosheet) Nei GAAFET vengono utilizzati dei "nanocollegamenti" tra source e drain; ·
 TSMC parla del processo produttivo A14 (1,4 nm): produzione nel 2028
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24/04/2025 06:16 - · integrare la seconda generazione di transistor gate-all-around (GAA) Nanosheet e una maggiore flessibilitàƒÂ  progettuale grazie all'architettura NanoFlex Pro.…
· dall'aumentata densitàƒÂ  di transistor abilitata dalla nostra seconda generazione di Nanosheet GAA, senza peràƒÂ² avere bisogno di una rete di alimentazione ·
 AMD e TSMC, partnership a lungo termine per la prossima generazione di CPU Epyc
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16/04/2025 12:15 - TSMC utilizzeràƒÂ  la tecnologia Nanosheet per il suo nodo a 2nm, e questi chip saranno co-ottimizzati con · piàƒÂ¹ recenti innovazioni di TSMC, come il processo a 2nm e la tecnologia Nanosheet, promette di portare sul mercato CPU Epyc con prestazioni e capacitàƒÂ  superiori, ·
 AMD e TSMC sempre più unite: avanti tutta sui 2 nanometri (EPYC Venice Zen 6) e produzione in USA
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16/04/2025 02:15 - · N2 di TSMC àƒÂ¨ il primo dell'azienda taiwanese ad adottare i nuovi transistor GAAFET (gate-all-around) basati su nanofogli (Nanosheet) .
 TSMC presenta il nuovo processo A14: architettura a 1,4 nm per i chip del 2028
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24/04/2025 13:16 - Il processo sfrutta l'esperienza maturata da TSMC nell'ottimizzazione progetto-tecnologia con architetture Nanosheet, e introduce la nuova generazione di celle standard NanoFlex Pro, evoluzione dello standard NanoFlex, per offrire maggiore flessibilitàƒÂ  progettuale, efficienza ·
 Intel Foundry è viva e vegeta: ecco la nuova roadmap
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30/04/2025 10:15 - · offrono una migliore densitàƒÂ  di transistor e commutazione piàƒÂ¹ rapida in un'area piàƒÂ¹ piccola, grazie all'uso di quattro Nanosheet verticali completamente circondati dal gate.
 Samsung, Gate All Around per sostituire i transistor FinFET
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15/05/2019 11:02 - Il progetto é estremamente personalizzabile, ossia l’ampiezza del nanofoglio (Nanosheet) va a influire direttamente su consumi e prestazioni: maggiore é l’ampiezza, maggiori sono le prestazioni.
 Samsung, nuovi dettagli sui chip in arrivo sui nodi a 3nm
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12/03/2021 18:15 - · tipici chiamati nanowires che presentano fin “sottili” e gli MBCFET chiamati Nanosheet che utilizzano fin “più spessi”.…
Le implementazioni effettive di nanowire e Nanosheet dipendono fortemente dalla progettazione, quindi in generale molto esperti del settore ·
 IBM: ecco il primo chip a 2nm al mondo
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06/05/2021 13:15 - · della cella di 75nm, una larghezza della cella di 40nm, i singoli Nanosheet misurano 5nm in altezza e sono separati da 5nm.…
Il gate poly pitch · suoi distanziatori interni sono realizzati con un processo che aiuta la creazione di Nanosheet.
 IBM presenta la prima tecnologia al mondo a 2 nm
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06/05/2021 12:19 - · e nel processo dei semiconduttori con lo sviluppo del primo chip al mondo annunciato con tecnologia a 2 nanometri (nm) Nanosheet.
 Microchip sempre più micro: IBM annuncia il processo produttivo a 2 nm con nanofogli di silicio
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06/05/2021 12:18 - L'azienda ha sviluppato ulteriormente la sua tecnica detta a nanofogli di silicio (silicon Nanosheet technology) portandola al traguardo dei 2 nm: àƒÂ¨ la prima azienda al mondo a raggiungere questo traguardo, aggiudicandosi l'alloro nella ·
 La nuova frontiera dei microchip sviluppata da IBM
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21/05/2021 16:17 - · lo standard di costruzione dal 2011, la corrente elettrica scorre in un'area allungata a forma di pinna, nella struttura "Nanosheet" , cioàƒÂ¨ a nanofogli, la corrente circola in una pila di nastri individuali.
 Samsung, la 'rivoluzione' a 3 nanometri può attendere: non prima del 2022
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12/07/2021 08:18 - · di design che àƒÂ¨ nato il design Multi-Bridge Channel FET, un progetto estremamente personalizzabile, che agendo sull'ampiezza del nanofoglio (Nanosheet) permette di intervenire su consumi e prestazioni, adattando quindi il design a seconda del mercato.
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