Baldur's Gate 3: scoperta una scena tagliata molto pesante tra Astarion e Shadowheart
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14/04/2025 11:15 - Il datamining di Baldur's Gate 3 continua a svelare i lati oscuri di una narrazione che poteva essere ancora piàƒÂ¹ drammatica di quanto giàƒÂ  non sia.
 Dormire in aeroporto: cosa sapere prima di una notte tra Gate e terminal
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15/04/2025 13:18 - Dormire in aeroporto: cosa sapere prima di una notte tra Gate e terminal Dagli aeroporti realmente aperti h24 ai servizi disponibili di notte, fino ai consigli per affrontare al meglio le ore di attesa: ecco cosa sapere prima di passare una notte in aeroporto Alfonsa Sabatino Giornalista specializzata in Travel & ·
 Samsung, la nuova linea V1 triplicherà la produzione di chip EUV a 7 nanometri quest'anno
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24/02/2020 14:03 - · le intenzioni fino ai 3 nanometri, processo che segneràƒÂ  il passaggio dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET), che nell'implementazione dell'azienda prenderàƒÂ  il nome di MBCFET, Multi Bridge Channel FET.
 Intel ha prodotto ben 10 milioni di SSD 3D NAND QLC
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13/02/2020 14:04 - · ingegneri del Team Blue hanno posto in verticale l’orientamento del floating Gate (FG) che hanno impacchettato in una struttura Gate- All - Around; il risultato dell’operazione é la tecnologia TLC che conteneva un massimo di 384 Gb/die.
 Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta
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19/03/2020 13:09 - L'evoluzione: i nuovi transistor Gate- All - Around ovvero GAA (Nanosheet) Nei GAAFET vengono utilizzati dei "nanocollegamenti" tra source e drain; inoltre, il transistor viene dimensionato in maniera ·
 Samsung si sposta sui 5nm: parte la produzione in massa dei chip
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29/04/2020 12:01 - Il prossimo passo sembra essere quello che vedràƒÂ  la casa di Seoul spostarsi sul nodo a 3nm tramite processo GAAFET (Gate All Around FET), come giàƒÂ  confermato in precedenza.
 I 3nm GAAFET di Samsung: la soluzione per i transistor del futuro è MBCFET
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15/04/2020 13:01 - Abbiamo già  riportato come Samsung intenda affrontare questa nuova corsa alla miniaturizzazione, parlandovi della tecnologia GAAFET, Gate- All - Around Field-Effect Transistor, una tecnica MIGFET (Multiple Independent Gate Field-Effect Transistor) simile al processo FinFET, in cui un MOSFET ·
 TSMC rigetta le indiscrezioni: i 3 nanometri arriveranno nei tempi previsti
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18/04/2020 10:02 - Samsung, diversi mesi fa, ha annunciato che con i 3 nanometri passeràƒÂ  ai transistor con progetto Gate All Around FET (GAAFET), o meglio All ' implementazione proprietaria MBCFET (Multi Bridge Channel FET).
 Samsung pronta con i 5nm per Nvidia, prosegue lo sviluppo del nodo a 3nm GAAFET
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30/04/2020 11:06 - · in massa di chip a 5nm sarà  avviata la successiva fase di sviluppo del nodo a 3nm con sistema GAAFET (Gate All- Around Field Effect Transistor) progettato internamente, il Multi Bridge Channel FET (MBCFET) di cui vi avevamo parlato poco tempo fa, sempre ·
 Intel, entro cinque anni processori con nuovi tipi di transistor?
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23/06/2020 10:01 - Si parla ad esempio di Gate All Around FET (GAAFET), con Samsung in prima fila con una propria implementazione chiamata MBCFET, acronimo di Multi Bridge Channel FET.
 TSMC illustra le tappe intermedi della strada verso i 3 nm
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25/08/2020 18:02 - · prevede di continuare a usare i transistor con struttura FinFET, una scelta radicalmente diversa da Samsung che useràƒÂ  i GAA (Gate- All - Around) .
 TSMC punta decisa ai 2 nanometri: nuovi impianti produttivi per far fronte alla domanda
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28/09/2020 10:01 - Per quanto riguarda le innovazioni previste per i 2 nanometri, si vocifera che TSMC adotteràƒÂ  una struttura dei transistor chiamata Gate- All - Around (GAAFET), seguendo la stessa strada a cui faràƒÂ  da apripista la sudcoreana Samsung con i suoi 3 nanometri, in grado ·
 TSMC, processo litografico ridotto a 2 nm con la tecnologia GAAFET
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23/09/2020 10:01 - In realtà  TSMC starebbe procedendo spedita per l'adozione della tecnologia GAAFET (Gate- All - Around FET) che abbiamo già  descritto in passato: Processori e memorie: la tecnologia Nanosheet per i transistor renderà  FinFET obsoleta.
 Samsung, budget da capogiro per combattere TSMC: 116 mld di dollari
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17/11/2020 15:00 - Samsung spera di avere un vantaggio tecnologico sulla rivale usando una tecnologia piàƒÂ¹ sofisticata ed evoluta, la GAA o Gate All- Around, che secondo molti esperti àƒÂ¨ la next big thing del settore, mentre TSMC impiegheràƒÂ  ancora la piàƒÂ¹ rodata FinFET.
 TSMC ha una Fab per i 3 nanometri. Operativa dalla seconda metà del 2022
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27/11/2020 10:00 - Si vocifera che proprio con i 2 nanometri TSMC adotteràƒÂ  una struttura dei transistor chiamata Gate- All - Around (GAAFET), migliore sotto tutti gli aspetti rispetto a quella FinFET, seguendo la stessa strada che la sudcoreana Samsung imboccheràƒÂ  con ·
 TSMC pronta a produrre CPU a 3 nanometri
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27/11/2020 08:02 - · investimento di 116 miliardi di dollari nei propri chipset da 3 nm, passeràƒÂ  invece dalla tecnologia FinFET a quella GAA (Gate- All - Around) .
 Canna Gate All⠀™Isola dei famosi, Cecilia Capriotti: “Monte ha fumato, lo dirಠin tribunale”
tv.fanpage.it
03/02/2019 20:07 - A distanza di un anno dal momento in cui All ⠀™Isola dei famosi 2018 era scoppiato il “canna Gate⠀, si ritorna a parlare della vicenda che ha visto contrapposti Francesco Monte ed Eva Henger.
 Aeroporto Fiumicino, con e -Gate controllo del passaporto in 20 secondo anche per passeggeri israeliani
www.ilgiornaledelturismo.com
20/02/2019 16:11 - All’aeroporto di Fiumicino anche i passeggeri in partenza di nazionalità  israeliana possono effettuare il controllo del proprio passaporto attraverso gli E-gates, servizio che consente di effettuare in modo totalmente automatizzato le procedure di verifica del proprio documento di viaggio. La novità  é frutto della ·
 Steins ;Gate Elite
www.eurogamer.it
26/02/2019 13:05 - che Rintarō Okabe, protagonista di Steins ;Gate Elite, l'abbia incrociata nel corso dei suoi viaggi temporali.…
Steins ;Gate Elite ?
 Venezuela: popolazione in fuga, caos ai Gate dell'aeroporto
www.wallstreetitalia.com
13/03/2019 15:01 - Ai Gate dell’aeroporto di Caracas il caos, con tanti venezuelani in fuga dal Paese e diretti verso Panama, Uruguay e Stati Uniti ma dentro dopo aver superato i controlli la situazione é spettrale e vuoto.
 SOGIN OPEN Gate 2019/ Il 13 e 14 aprile sarà possibile visitare 4 centrali nucleari
www.ilsussidiario.net
17/03/2019 12:01 - Centrali nucleari. Nell’immaginario collettivo luoghi misteriosi, appannaggio esclusivo di tecnici ed esperti del settore. Nel weekend del 13 e 14 aprile Sogin, la società  di Stato incaricata di smantellare gli impianti nucleari italiani, consentirà  a 3.000 visitatori di entrare nelle quattro centrali italiane oggi in ·
 SOGIN OPEN Gate 2019/ Il 13 e 14 aprile sarà possibile visitare 4 centrali nucleari
www.ilsussidiario.net
14/03/2019 20:02 - Centrali nucleari. Nell’immaginario collettivo luoghi misteriosi, appannaggio esclusivo di tecnici ed esperti del settore. Nel weekend del 13 e 14 aprile Sogin, la società  di Stato incaricata di smantellare gli impianti nucleari italiani, consentirà  a 3.000 visitatori di entrare nelle quattro centrali italiane oggi in ·
 Guida alle SciAdv: dove Steins ;Gate ha avuto inizio
www.ludomedia.it
19/05/2019 10:02 - Probabilmente molti avranno sentito parlare più e più volte di Steins ;Gate o addirittura della serie a cui appartiene, ma senza conoscerne il nesso o da dove iniziare.…
Di sicuro conoscerete gli adattamenti animati o il film, cioé Steins ;Gate: The Movie – Load Region of Dà©jà  Vu, che sono abbastanza popolari fra i fan ·
 Da Baldur’s Gate a Rick e Morty: ecco le prossime uscite di Dungeons & Dragons
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20/05/2019 13:02 - Durante l’evento The Descent, tenutosi nel fine settimana a Los Angeles, Wizards of the Coast ha rivelato i nuovi contenuti di Dungeons & Dragons la cui uscita é prevista nei prossimi mesi: Baldur’s Gate: Descent into Avernus, Battle for Baldur’s Gate,  D&D Essentials Kit e Dungeons & Dragons vs.
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