Gate All Around [ pagina 5 ]

www.hwupgrade.it
12/07/2021 08:18 - · che nei suoi piani segneranno il passaggio dai transistor FinFET ai GAAFET (Gate All Around FET), o nella sua accezione MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect · COVID-19 e dai lockdown.

notebookitalia.it
30/07/2021 00:18 - Con Intel 20A si passa dai transistor FinFET ai transistor Gate- All - Around (GAA) FET che Intel chiama RibbonFET.…
In un transistor GAAFET (Gate- All - Around FET) il Gate circonda il canale su tutti i lati a differenza dei ·

www.tomshw.it
28/07/2021 14:16 - N2 sarà  il primo processo di produzione della fonderia a utilizzare transistor GAA (Gate- All - Around) (nella loro implementazione di nanosheet o nanowire) insieme ad altre innovazioni.

www.hwupgrade.it
22/09/2021 07:21 - Al momento i produttori di microchip sembrano orientati su altre soluzioni per il dopo FinFET: si parla ad esempio di Gate All Around FET (GAAFET), con Samsung in prima fila con una propria implementazione chiamata MBCFET, acronimo di Multi Bridge Channel FET.

www.hwupgrade.it
19/10/2021 09:18 - · questo processo produttivo e, interrogata in merito, non ha mai escluso o confermato l'adozione di transistor con design GAAFET (Gate- All - Around field-effect transistor).

www.hwupgrade.it
07/10/2021 07:20 - · ) 2021, quest'anno accompagnato dal claim "Adding One More Dimension" in virtàƒÂ¹ del futuro passaggio dai transistor FinFET a quelli Gate- All - Around (GAA) con i processi a 3 e 2 nanometri.

www.tomshw.it
23/09/2021 12:17 - Samsung sta impiegando la tecnologia GAAFET (Gate All Around Field Effect Transistor) per il processo a 3nm, con una produzione di massa prevista per quest’anno.

www.ilsoftware.it
16/12/2021 10:35 - Da parte sua Intel ha presentato in anteprima il suo progetto RibbonFet ovvero il primo transistor Gate- All - Around dell'azienda di Santa Clara: la società  di Gelsinger lo considera come il successore di FinFET.

www.hdblog.it
14/12/2021 14:30 - Spazio alla nuova architettura transistor RibbonFET, tramite cui debutteranno i primi GAA (Gate- All - Around) e che permetteràƒÂ  di avere un numero maggiore di transistor per unitàƒÂ  di area.

www.hwupgrade.it
12/12/2021 11:17 - · transistor "post FinFET", Intel ha annunciato nei mesi scorsi RibbonFET, termine dietro cui si cela la sua implementazione dei transistor Gate- All - Around (GAA) che anche altre realtàƒÂ  stanno cercando di implementare nelle loro roadmap produttive il piàƒÂ¹ rapidamente possibile.

www.hdblog.it
29/12/2021 11:15 - tra finfet, Gate- All - Around- fet, e altre sfumature simili.

www.hwupgrade.it
18/02/2022 11:21 - Per quanto concerne i transistor, Intel sta lavorando su RibbonFET, l'implementazione di Intel di un transistor Gate- All - Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda dall'introduzione dei FinFET nel 2011.

www.hwupgrade.it
18/02/2022 13:22 - Per quanto concerne i transistor, Intel sta lavorando su RibbonFET, l'implementazione di Intel di un transistor Gate- All - Around (GAA) e prima nuova architettura di transistor dell'azienda dall'introduzione dei FinFET nel 2011.

www.hwupgrade.it
19/04/2022 10:19 - · il nuovo processo produttivo sfrutterà  transistor basati sulla nuova struttura GAA (Gate All- Around) e continuerà  ad utilizzare la litografia ultravioletta EUV (Extreme Ultraviolet) · nella parte inferiore del canale, da qui il nome di Gate All- Around.

www.hwupgrade.it
30/04/2022 01:34 - · si appresta ad avviare, nel corso delle prossime settimane, la produzione in volumi di chip con processo produttivo 3GAE (3nm Gate All Around Early).

www.hdblog.it
27/05/2022 12:16 - àƒÂˆ facile ipotizzare che useràƒÂ  il processo di nuova generazione a 3 nm GAA (Gate All- Around) , che dovrebbe diventare operativo verso la fine del 2022, e che ci saràƒÂ  di nuovo una GPU Xclipse basata sulle ·

www.tomshw.it
19/05/2022 14:17 - I nanofili in Si-28 purificati isotopicamente possono essere impiegati per migliorare tecnologie esistenti, come i Gate- All - Around Effect Transistor (GAA-FET), che già  utilizzano nanofili di silicio impilati per condurre l’elettricità  ma soffrono ancora del problema ·

www.hwupgrade.it
30/06/2022 09:16 - · avviato la produzione di chip con processo produttivo a 3 nanometri, tecnologia caratterizzata dall'introduzione della nuova architettura di transistor Gate- All - Around (GAA).

www.tomshw.it
17/06/2022 14:18 - ·, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., meglio nota come TSMC, ha presentato la sua tecnologia di produzione N2 (2nm) che utilizzerà  transistor Gate- All - Around field-effect (GAAFET).

www.ilsoftware.it
30/06/2022 14:20 - Con l'arrivo dei primi chip GAAFET (Gate- All - Around FET) a marchio Samsung, la società  sudcoreano starebbe cominciando a invertire la tendenza sfruttando anche il fatto che TSMC ha ·

www.ictbusiness.it
30/06/2022 09:15 - Samsung àƒÂ¨ riuscita a ottenere questo risultato grazie a una nuova architettura transistor Gate- All - Around (GAA) proprietaria, chiamata Multi-Bridge-Channel FET (MbcFET).

www.hdblog.it
29/06/2022 16:16 - Il processo implementeràƒÂ  la tecnologia GAA (Gate- All - Around) FET (Field Effect Transistor): sostanzialmente, il materiale isolante per la corrente àƒÂ¨ distribuito su quattro lati del semiconduttore in silicio, mentre ·

www.pianetacellulare.it
30/06/2022 08:15 - · annunciato di aver avviato la produzione di chipset con processo produttivo a 3 nanometri (nm) applicando l'architettura a transistor Gate- All - Around (GAA).

www.hdblog.it
30/06/2022 09:15 - La societàƒÂ  conferma quanto giàƒÂ  si sapeva, e cioàƒÂ¨ che il nodo implementa la nuova tecnologia GAA (Gate- All - Around) , in cui sostanzialmente il materiale isolante viene applicato tutto intorno ai quattro lati del transistor, a differenza del precedente FinFET ·